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探究IC制造工艺流程及其所需设备和材料

作者:admin    来源:未知    发布时间:2020-01-18 06:08    浏览量:

  半导体装备和资料处于财富链的上游,是鞭策身手提高的闭头症结。半导体装备和资料运用于集成电途、LED等多个界限,此中以集成电途的占比和身手难度最高。

  半导体产物的加工经过首要席卷晶圆创修(前道,Front-End)和封装(后道,Back-End)测试,跟着前辈封装身手的浸透,涌现介于晶圆创修和封装之间的加工症结,称为中道(Middle-End)。

  因为半导体产物的加工工序多,因此正在创修经过中必要大方的半导体装备和资料。正在这里,咱们以最为庞杂的晶圆创修(前道)和守旧封装(后道)工艺为例,评释创修经过所必要的装备和资料。

  这7个首要的临蓐区域和联系步伐以及丈量等都是正在晶圆清白厂房举办的。正在这几个临蓐区都睡觉有若干种半导体装备,知足差别的必要。比方正在光刻区,除了光刻机以表,还会有配套的涂胶/显影和丈量装备。

  守旧封装(后道)测试工艺可能大致分为反面减薄、晶圆切割、贴片、引线键合、模塑、电镀、切筋/成型和终测等8个首要步伐。与IC晶圆创修(前道)比拟,后道封装相对浅易,身手难度较低,对工艺境况、装备和资料的恳求也低于晶圆创修。

  装备效力:为半导体资料举办氧化管束,供应恳求的氧化气氛,完毕半导体预期打算的氧化管束经过,是半导体加工经过的不成短缺的一个症结。

  国内首要厂商:七星电子、青岛福润德、中国电子科技集团第四十八所、青岛旭光仪表装备有限公司、中国电子科技集团第四十五所等。

  装备效力:通过二极溅掷中一个平行于靶皮相的紧闭磁场,和靶皮相上酿成的正交电磁场,把二次电子管束正在靶皮相特定区域,完毕高离子密度和高能量的电离,把靶原子或分子高速度溅射重积正在基片上酿成薄膜。

  表洋首要厂商:美国运用资料公司、美国PVD公司、美国Vaportech公司、英国Teer公司、瑞士Platit公司、德国Cemecon公司等。

  国内首要厂商:北方微电子、北京仪器厂、沈阳中科仪器、成都南光实业股份有限公司、中国电子科技集团第四十八所、科睿装备有限公司等。

  表洋首要厂商:美国Proto Flex公司、日本Tokki公司、日本岛津公司、美国泛林半导体(Lam Research)公司、荷兰ASM国际公司等。

  装备效力:以热认识反响式样正在衬底进步行气相表延,滋长百般Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶资料。

  装备效力:将掩膜版上的图形迁移到涂有光刻胶的衬底(硅片)上,以致光刻爆发反响,为下一步加工(刻蚀或离子注入)做打定。

  表洋首要公司:荷兰阿斯麦(ASML)公司、日本尼康公司、日本Canon公司、美国ABM公司、德国SUSS公司、美国Ultratech公司、奥地利EVG公司等。

  国内首要公司:上海微电设备(SMEE)、中国电子科技集团第四十八所、中国电子科技集团第四十五所、成都光机所等。

  装备效力:与光刻机连结功课,开始将光刻胶匀称地涂到晶圆上,知足光刻机的任务恳求;然后,管束光刻机曝光后的晶圆,北京赛车历史开奖号将曝光后的光刻胶中与紫表光爆发化学反响的片面除去或保存下来。

  表洋首要厂商:美国的KLA-Tencor、美国运用资料、日本Hitachi、美国Rudolph公司、以色列Camtek公司等。

  装备效力:平板电极间施加高频电压,发作数百微米厚的离子层,放入式样,离子高速撞击式样,完毕化学反响刻蚀和物理撞击,完毕半导体的加工成型。

  表洋首要厂商:美国运用资料公司、美国Lam Research公司、韩国JuSung公司、韩国TES公司等。

  装备效力:将两片晶圆彼此联络,并使皮相原子彼此反响,发作共价键合,合二为一,是完毕3D晶圆堆叠的主要装备。

  装备效力:1)电镀装备:将电镀液中的金属离子电镀到晶圆皮相,以酿成金属互连;2)洗涤装备:去除晶圆皮相的残剩物、污染物等;3)湿法刻蚀装备:通过化学刻蚀液和被刻蚀物质之间的化学反响将被刻蚀物质剥离下来。

  国内首要厂商:北京中电科、兰州兰新高科技财富股份有限公司、深圳方达研磨装备创修有限公司、深圳市金能力稹密研磨机械创修有限公司、炜安达研磨装备有限公司、深圳市华年风科技有限公司等。

  国内首要厂商:中国电子科技集团第四十五所、北京中电科、北京科创源光电身手有限公司、沈阳仪器仪表工艺探究所、西北机械有限公司(原国营西北刻板厂709厂)、汇盛电子电子刻板装备公司、兰州兰新高科技财富股份有限公司、巨室激光等。

  国内首要厂商:中国电子科技集团第四十五所、北京创世杰科技繁荣有限公司、北京中电科、深圳市开玖主动化妆备有限公司等。

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